Влияние электрического поля на фотоэлектрические спектры квантово-размерных гетеронаноструктур GaAs/In(Ga)As, выращенных газофазной мос-гидридной эпитаксией: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук: 01.04.10 / Горшков Алексей Павлович
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Горшков, А. П. |
| Опубликовано: | Нижний Новгород , 2006 |
| Физические характеристики: |
15 с. : ил.
|
| Язык: | Русский |
| Предмет: |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||