Быстрое вакуумно-термическое формирование эпитаксиальных слоев 3C-SiC и барьерных структур на их основе: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук: специальность 01.04.10 Физика полупроводников / Лобанок Михаил Владимирович

Сохранено в:
Шифр документа: 2Н//262870(039),
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Лобанок, М. В.
Опубликовано: Минск , 2025
Физические характеристики: 23 с. : ил., цв. ил., табл. ; 21 см
Язык: Русский
Предмет:
Подробнее