Основы радиационной стойкости изделий электронной техники космического применения. Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения: курс лекций / К. И. Таперо

Сохранено в:
Шифр документа: 1//453195(039),
Вид документа: Книги
Автор: Таперо, К. И.
Опубликовано: Москва : Издательский дом МИСиС , 2011
Физические характеристики: 251 с. : ил., табл. ; 21 см
Язык: Русский
Серия: Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС" № 1896
Предмет:
МИКРОЭЛЕКТРОНИКА
ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СТРУКТУРЫ
МОП-СТРУКТУРЫ
КРЕМНИЕВЫЕ СТРУКТУРЫ
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ
КРЕМНИЕВЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ
БОЛЬШИЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ
ИОНИЗИРУЮЩИЕ ИЗЛУЧЕНИЯ
КОСМИЧЕСКОЕ ИЗЛУЧЕНИЕ
РАДИАЦИОННОЕ ВОЗДЕЙСТВИЕ
РАДИАЦИОННЫЕ ЭФФЕКТЫ
РАДИАЦИОННЫЕ ДЕФЕКТЫ
ФИЗИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ
ПАРАМЕТРЫ (физ., техн.)
ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
ЧИСЛЕННОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ
00000cam0a2200000 ib4500
001 BY-RLST-kn-438550
005 20170926205500.5
010 # # $a 978-5-87623-415-5 
100 # # $a 20140207d2011 f y0rusy50 ||||ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
105 # # $a a j 000yy 
109 # # $a ga 
200 1 # $a Основы радиационной стойкости изделий электронной техники космического применения. Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения  $e курс лекций  $f К. И. Таперо  $g Министерство образования и науки РФ, Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Кафедра полупроводниковой электроники и физики полупроводников 
210 # # $a Москва  $c Издательский дом МИСиС  $d 2011 
215 # # $a 251 с.  $c ил., табл.  $d 21 см 
225 1 # $a Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС"  $v № 1896 
320 # # $a Библиография: с. 249—251 (37 назв.) 
345 # # $9 120 экз. 
606 0 # $3 BY-NLB-ar18370  $a МИКРОЭЛЕКТРОНИКА  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar24602  $a ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar24596  $a ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СТРУКТУРЫ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar64055  $a МОП-СТРУКТУРЫ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar15092  $a КРЕМНИЕВЫЕ СТРУКТУРЫ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar24592  $a ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar24604  $a ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar2246902  $a КРЕМНИЕВЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar2105390  $a БОЛЬШИЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar26837  $a ИОНИЗИРУЮЩИЕ ИЗЛУЧЕНИЯ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar52614  $a КОСМИЧЕСКОЕ ИЗЛУЧЕНИЕ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar26857  $a РАДИАЦИОННОЕ ВОЗДЕЙСТВИЕ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar26877  $a РАДИАЦИОННЫЕ ЭФФЕКТЫ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar26909  $a РАДИАЦИОННЫЕ ДЕФЕКТЫ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar35931  $a ФИЗИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar22676  $a ПАРАМЕТРЫ (физ., техн.)  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar39284  $a ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar37857  $a ЧИСЛЕННОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ  $2 DVNLB 
608 # # $3 BY-NLB-ar5183659  $a КУРС ЛЕКЦИЙ  $2 BYGNR 
675 # # $a 621.382.2/.3:539.16.043(075.8)  $v 4  $z rus 
675 # # $a 621.382.049.774:539.16.043(075.8)  $v 4  $z rus 
675 # # $a 537.311.322:539.16.043(075.8)  $v 4  $z rus 
686 # # $a 47.33  $2 rugasnti  $v 6 
686 # # $a 47.09.29  $2 rugasnti  $v 6 
686 # # $a 47.03.05  $2 rugasnti  $v 6 
686 # # $a 47.01.33  $2 rugasnti  $v 6 
686 # # $a 29.19.31  $2 rugasnti  $v 6 
686 # # $a 29.19.21  $2 rugasnti  $v 6 
686 # # $a 29.01.33  $2 rugasnti  $v 6 
700 # 1 $3 BY-RLST-ar514088  $a Таперо  $b К. И.  $g Константин Иванович 
712 0 0 $3 BY-RLST-ar593969  $a "МИСиС"  $g национальный исследовательский технологический университет  $c Москва  $b Кафедра полупроводниковой электроники и физики полупроводников  $4 475 
801 # 0 $a BY  $b BY-HM0001  $c 20140207  $g psbo 
801 # 2 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20170926  $g psbo 

Схожие документы