Структура и параметры глубоких электронных и дырочных центров прилипания в халькогенидах цинка [[Микроформа]]: Дис. ... канд. физ.-мат. наук: (01.04.10)

Сохранено в:
Шифр документа: 04890014290,
Вид документа: Диссертации
Автор: Хамидов, М. М.
Опубликовано: Махачкала , 1989
Физические характеристики: 161 с.
Язык: Русский
00000nbm0a22000001id4500
001 BY-NLB-rr41896350000
005 20080219121026.0
100 # # $a 20080219d1989 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Структура и параметры глубоких электронных и дырочных центров прилипания в халькогенидах цинка  $b [Микроформа]  $e Дис. ... канд. физ.-мат. наук  $e (01.04.10) 
210 # # $a Махачкала  $d 1989 
215 # # $a 161 с. 
300 # # $a Библиогр.: с. 143-161 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Хамидов  $b М. М.  $g Марасилав Магомедович 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20080219  $g psbo