Электрофизические свойства слоев арсенида галлия, арсенида галлия алюминия и гетероструктур с двумерным электронным газом на их основе, полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии [[Микроформа]]: Дис. ... канд. физ.-мат. наук: Утв. 04.11.87: (01.04.10)
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Устинов, В. М. |
| Опубликовано: | Л. , 1986 |
| Физические характеристики: |
199 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nbm0a22000001id4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr41868440000 | ||
| 005 | 20080219120700.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20080219d1986 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Электрофизические свойства слоев арсенида галлия, арсенида галлия алюминия и гетероструктур с двумерным электронным газом на их основе, полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии $b [Микроформа] $e Дис. ... канд. физ.-мат. наук $e Утв. 04.11.87 $e (01.04.10) |
| 210 | # | # | $a Л. $d 1986 |
| 215 | # | # | $a 199 с. |
| 300 | # | # | $a Библиогр.: с. 181-199 |
| 686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Устинов $b В. М. $g Виктор Михайлович |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20080219 $g psbo |