Фоновые примеси и структурные дефекты в системе полуизолирующая подножка-эпитакскальная пленка GaAs и методы их технологического контроля [[Микроформа]]: Дис. ... канд. физ.-мат. наук: (01.04.10)

Сохранено в:
Шифр документа: 04900018744,
Вид документа: Диссертации
Автор: Станев, Н. С.
Опубликовано: Мн. , 1990
Физические характеристики: 193 с.
Язык: Русский
00000nbm0a22000001id4500
001 BY-NLB-rr41797700000
005 20140827122150.0
100 # # $a 20080219d1990 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a BY 
200 1 # $a Фоновые примеси и структурные дефекты в системе полуизолирующая подножка-эпитакскальная пленка GaAs и методы их технологического контроля  $b [Микроформа]  $e Дис. ... канд. физ.-мат. наук  $e (01.04.10) 
210 # # $a Мн.  $d 1990 
215 # # $a 193 с. 
300 # # $a Библиогр.: с. 181-193 
615 # # $a Белорусский национальный документ 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Станев  $b Н. С.  $g Николай Стефанов 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20080219  $g psbo