Электрофизические свойства переключательных МДП-структур с туннельно-тонким диэлектриком и P-N-переходом в подложке [[Микроформа]]: Дис. ... канд. физ.-мат. наук: (01.04.10)
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Автор: | Сивожелезов, В. И. |
Опубликовано: | Саратов , 1991 |
Физические характеристики: |
172 с.
|
Язык: | Русский |
00000nbm0a22000001id4500 | |||
001 | BY-NLB-rr41763940000 | ||
005 | 20080219133658.0 | ||
100 | # | # | $a 20080219d1991 y0rusy50 ca |
101 | 0 | # | $a rus |
102 | # | # | $a RU |
200 | 1 | # | $a Электрофизические свойства переключательных МДП-структур с туннельно-тонким диэлектриком и P-N-переходом в подложке $b [Микроформа] $e Дис. ... канд. физ.-мат. наук $e (01.04.10) |
210 | # | # | $a Саратов $d 1991 |
215 | # | # | $a 172 с. |
300 | # | # | $a Библиогр.: с. 158-172. - Для служеб. пользования |
686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
700 | # | 1 | $a Сивожелезов $b В. И. $g Виктор Иванович |
801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20080219 $g psbo |