Электрофизические свойства переключательных МДП-структур с туннельно-тонким диэлектриком и P-N-переходом в подложке [[Микроформа]]: Дис. ... канд. физ.-мат. наук: (01.04.10)

Сохранено в:
Шифр документа: 04910017849,
Вид документа: Диссертации
Автор: Сивожелезов, В. И.
Опубликовано: Саратов , 1991
Физические характеристики: 172 с.
Язык: Русский
00000nbm0a22000001id4500
001 BY-NLB-rr41763940000
005 20080219133658.0
100 # # $a 20080219d1991 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Электрофизические свойства переключательных МДП-структур с туннельно-тонким диэлектриком и P-N-переходом в подложке  $b [Микроформа]  $e Дис. ... канд. физ.-мат. наук  $e (01.04.10) 
210 # # $a Саратов  $d 1991 
215 # # $a 172 с. 
300 # # $a Библиогр.: с. 158-172. - Для служеб. пользования 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Сивожелезов  $b В. И.  $g Виктор Иванович 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20080219  $g psbo