Исследование электрофизических, фотоэлектрических свойств и рекомбинационных процессов в кристаллах InAs, In{н.инд.}(1-x)Ga{н.инд.}(x)As, InAs{н.инд.}(1-x-y)Sb{н.инд.}(х)Р{н.инд.}(y) и диодных структурах на основе InAs{н.инд.}(1-x-y)Sb{н.инд.}(х)Р{н.инд.}(y) [[Микроформа]]: Дис. ... канд. физ.-мат. наук: Утв. 07.09.88: (01.04.10)
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Салихов, Х. М. |
| Опубликовано: | Л. : Казань , 1987 |
| Физические характеристики: |
179 с. : ил.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nbm0a22000001id4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr41735870000 | ||
| 005 | 20080219133318.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20080219d1987 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Исследование электрофизических, фотоэлектрических свойств и рекомбинационных процессов в кристаллах InAs, In{н.инд.}(1-x)Ga{н.инд.}(x)As, InAs{н.инд.}(1-x-y)Sb{н.инд.}(х)Р{н.инд.}(y) и диодных структурах на основе InAs{н.инд.}(1-x-y)Sb{н.инд.}(х)Р{н.инд.}(y) $b [Микроформа] $e Дис. ... канд. физ.-мат. наук $e Утв. 07.09.88 $e (01.04.10) |
| 210 | # | # | $a Л. $c Казань $d 1987 |
| 215 | # | # | $a 179 с. $c ил. |
| 300 | # | # | $a Библиогр.: с. 169-179 |
| 686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Салихов $b Х. М. $g Хафиз Миргазямович |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20080219 $g psbo |