Исследование электрофизических, фотоэлектрических свойств и рекомбинационных процессов в кристаллах InAs, In{н.инд.}(1-x)Ga{н.инд.}(x)As, InAs{н.инд.}(1-x-y)Sb{н.инд.}(х)Р{н.инд.}(y) и диодных структурах на основе InAs{н.инд.}(1-x-y)Sb{н.инд.}(х)Р{н.инд.}(y) [[Микроформа]]: Дис. ... канд. физ.-мат. наук: Утв. 07.09.88: (01.04.10)

Сохранено в:
Шифр документа: 0488007386,
Вид документа: Диссертации
Автор: Салихов, Х. М.
Опубликовано: Л. : Казань , 1987
Физические характеристики: 179 с. : ил.
Язык: Русский
00000nbm0a22000001id4500
001 BY-NLB-rr41735870000
005 20080219133318.0
100 # # $a 20080219d1987 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Исследование электрофизических, фотоэлектрических свойств и рекомбинационных процессов в кристаллах InAs, In{н.инд.}(1-x)Ga{н.инд.}(x)As, InAs{н.инд.}(1-x-y)Sb{н.инд.}(х)Р{н.инд.}(y) и диодных структурах на основе InAs{н.инд.}(1-x-y)Sb{н.инд.}(х)Р{н.инд.}(y)  $b [Микроформа]  $e Дис. ... канд. физ.-мат. наук  $e Утв. 07.09.88  $e (01.04.10) 
210 # # $a Л.  $c Казань  $d 1987 
215 # # $a 179 с.  $c ил. 
300 # # $a Библиогр.: с. 169-179 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Салихов  $b Х. М.  $g Хафиз Миргазямович 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20080219  $g psbo