Особенности рекомбинационного излучения в эпитаксиальных слоях теллурида и селенида цинка на сапфире [[Микроформа]]: Дис. ... канд. физ.-мат. наук: (01.04.10)

Сохранено в:
Шифр документа: 0491009085,
Вид документа: Диссертации
Автор: Руссу, В. Г.
Опубликовано: Кишинев , 1990
Физические характеристики: 166 с. : ил.
Язык: Русский
00000nbm0a22000001id4500
001 BY-NLB-rr41717820000
005 20080219123839.0
100 # # $a 20080219d1990 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a MD 
200 1 # $a Особенности рекомбинационного излучения в эпитаксиальных слоях теллурида и селенида цинка на сапфире  $b [Микроформа]  $e Дис. ... канд. физ.-мат. наук  $e (01.04.10) 
210 # # $a Кишинев  $d 1990 
215 # # $a 166 с.  $c ил. 
300 # # $a Библиогр.: с. 153-166 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Руссу  $b В. Г.  $g Варвара Георгиевна 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20080219  $g psbo