Разработка низкотемпературных, не вносящих радиационные дефекты, процессов осаждения диэлектрических слоев в реакторе с групповой обработкой пластин [Микроформа]: Дис. ... канд. техн. наук: (05.27.06)

Сохранено в:
Шифр документа: 04900019598,
Вид документа: Диссертации
Автор: Патюков, С. И.
Опубликовано: М. , 1990
Физические характеристики: 243 с.
Язык: Русский
00000cbm0a22000001id4500
001 BY-NLB-rr41633990000
005 20141230083840.0
100 # # $a 20080219d1990 y0rusy50 ||||ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Разработка низкотемпературных, не вносящих радиационные дефекты, процессов осаждения диэлектрических слоев в реакторе с групповой обработкой пластин  $b Микроформа  $e Дис. ... канд. техн. наук  $e (05.27.06) 
210 # # $a М.  $d 1990 
215 # # $a 243 с. 
300 # # $a Библиогр.: с. 221-240. - Для служеб. пользования 
686 # # $a 05.27.06  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Патюков  $b С. И.  $g Сергей Иванович 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20080219  $g psbo