Влияние легирования на экситонную и примесную люминесценцию Si, GaAs и AlGaAs при низких температурах [[Микроформа]]: Дис. ... канд. физ.-мат. наук: Утв. 07.09.88: (01.04.10)

Сохранено в:
Шифр документа: 0488003358,
Вид документа: Диссертации
Автор: Октябрьский, С. Р.
Опубликовано: М. , 1987
Физические характеристики: 170 с. : ил.
Язык: Русский
00000nbm0a22000001id4500
001 BY-NLB-rr41609020000
005 20080219130111.0
100 # # $a 20080219d1987 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Влияние легирования на экситонную и примесную люминесценцию Si, GaAs и AlGaAs при низких температурах  $b [Микроформа]  $e Дис. ... канд. физ.-мат. наук  $e Утв. 07.09.88  $e (01.04.10) 
210 # # $a М.  $d 1987 
215 # # $a 170 с.  $c ил. 
300 # # $a Библиогр.: с. 151-170 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Октябрьский  $b С. Р.  $g Сергей Ростиславович 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20080219  $g psbo