Нелигированные эпитаксиальные слои арсенида галлия и высоковольтные р-п-р-п структуры на их основе [[Микроформа]]: Дис. ... канд. физ.-мат. наук: (01.04.10)
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Автор: | Нугманов, Д. Л. |
Опубликовано: | Л. , 1990 |
Физические характеристики: |
142 с.
|
Язык: | Русский |
00000nbm0a22000001id4500 | |||
001 | BY-NLB-rr41600060000 | ||
005 | 20080219125936.0 | ||
100 | # | # | $a 20080219d1990 y0rusy50 ca |
101 | 0 | # | $a rus |
102 | # | # | $a RU |
200 | 1 | # | $a Нелигированные эпитаксиальные слои арсенида галлия и высоковольтные р-п-р-п структуры на их основе $b [Микроформа] $e Дис. ... канд. физ.-мат. наук $e (01.04.10) |
210 | # | # | $a Л. $d 1990 |
215 | # | # | $a 142 с. |
300 | # | # | $a Библиогр.: с. 132-141 |
686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
700 | # | 1 | $a Нугманов $b Д. Л. $g Дамир Лукманджанович |
801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20080219 $g psbo |