Нелигированные эпитаксиальные слои арсенида галлия и высоковольтные р-п-р-п структуры на их основе [[Микроформа]]: Дис. ... канд. физ.-мат. наук: (01.04.10)

Сохранено в:
Шифр документа: 04910015390,
Вид документа: Диссертации
Автор: Нугманов, Д. Л.
Опубликовано: Л. , 1990
Физические характеристики: 142 с.
Язык: Русский
00000nbm0a22000001id4500
001 BY-NLB-rr41600060000
005 20080219125936.0
100 # # $a 20080219d1990 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Нелигированные эпитаксиальные слои арсенида галлия и высоковольтные р-п-р-п структуры на их основе  $b [Микроформа]  $e Дис. ... канд. физ.-мат. наук  $e (01.04.10) 
210 # # $a Л.  $d 1990 
215 # # $a 142 с. 
300 # # $a Библиогр.: с. 132-141 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Нугманов  $b Д. Л.  $g Дамир Лукманджанович 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20080219  $g psbo