Электрофизические свойства светоизлучающих структур из GaN: Zn и GaN: (Zn-O) [[Микроформа]]: Дис. ... канд. физ.-мат. наук: Утв. 07.12.88: (01.04.07)

Сохранено в:
Шифр документа: 04880011968,
Вид документа: Диссертации
Автор: Лебедев, Я. Д.
Опубликовано: Вологда , 1987
Физические характеристики: 160 с. : ил.
Язык: Русский
00000nbm0a22000001id4500
001 BY-NLB-rr41446780000
005 20080219125237.0
100 # # $a 20080219d1987 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Электрофизические свойства светоизлучающих структур из GaN: Zn и GaN: (Zn-O)  $b [Микроформа]  $e Дис. ... канд. физ.-мат. наук  $e Утв. 07.12.88  $e (01.04.07) 
210 # # $a Вологда  $d 1987 
215 # # $a 160 с.  $c ил. 
300 # # $a Библиогр.: с. 146-160 
686 # # $a 01.04.07  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Лебедев  $b Я. Д.  $g Яков Дмитриевич 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20080219  $g psbo