Разработка процессов формирования границ раздела арсенид галлия, фосфид индия - электрохимически осажденный металл для создания СВЧ диодов миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов длин волн [[Микроформа]]: Дис. ... канд. хим. наук: (02.00.18)

Сохранено в:
Шифр документа: 049100865,
Вид документа: Диссертации
Автор: Карпович, Н. В.
Опубликовано: Томск , 1990
Физические характеристики: 183 с.
Язык: Русский
00000nbm0a22000001id4500
001 BY-NLB-rr41326270000
005 20080219132815.0
100 # # $a 20080219d1990 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Разработка процессов формирования границ раздела арсенид галлия, фосфид индия - электрохимически осажденный металл для создания СВЧ диодов миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов длин волн  $b [Микроформа]  $e Дис. ... канд. хим. наук  $e (02.00.18) 
210 # # $a Томск  $d 1990 
215 # # $a 183 с. 
300 # # $a Библиогр.: с. 159-176. - Для служеб. пользования 
686 # # $a 02.00.18  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Карпович  $b Н. В.  $g Нина Васильевна 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20080219  $g psbo