Исследование глубоких центров в GaAs{н.инд.}(1-х)Р{н.инд.}(x) методами нестационарной емкостной спектроскопии [[Микроформа]]: Дис. ... канд. физ.-мат. наук: Утв. 02.12.87: (01.04.10)

Сохранено в:
Шифр документа: 04870013407,
Вид документа: Диссертации
Автор: Зубков, В. И.
Опубликовано: Л. , 1987
Физические характеристики: 174 с. : ил.
Язык: Русский
00000nbm0a22000001id4500
001 BY-NLB-rr41274690000
005 20080219122031.0
100 # # $a 20080219d1987 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Исследование глубоких центров в GaAs{н.инд.}(1-х)Р{н.инд.}(x) методами нестационарной емкостной спектроскопии  $b [Микроформа]  $e Дис. ... канд. физ.-мат. наук  $e Утв. 02.12.87  $e (01.04.10) 
210 # # $a Л.  $d 1987 
215 # # $a 174 с.  $c ил. 
300 # # $a Библиогр.: с. 163-174 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Зубков  $b В. И.  $g Василий Иванович 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20080219  $g psbo