Фазовые переходы в полупроводниках А³В⁶ со структурой типа TlSe при давлении до 37 ГПа [[Микроформа]]: Дис. ... канд. физ.-мат. наук: Утв. 01.03.89: (01.04.07)

Сохранено в:
Шифр документа: 04880019661,
Вид документа: Диссертации
Автор: Демишев, Г. Б.
Опубликовано: М. , 1988
Физические характеристики: 148 с.
Язык: Русский
00000nbm0a22000001id4500
001 BY-NLB-rr41192540000
005 20080219135350.0
100 # # $a 20080219d1988 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Фазовые переходы в полупроводниках А³В⁶ со структурой типа TlSe при давлении до 37 ГПа  $b [Микроформа]  $e Дис. ... канд. физ.-мат. наук  $e Утв. 01.03.89  $e (01.04.07) 
210 # # $a М.  $d 1988 
215 # # $a 148 с. 
300 # # $a Библиогр.: с. 136-148 
686 # # $a 01.04.07  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Демишев  $b Г. Б.  $g Геннадий Борисович 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20080219  $g psbo