Исследование процессов на поверхности полупроводников типа A³B⁵ при активировании их цезием и кислородом [[Микроформа]]: Дис. ... канд. физ.-мат. наук: Утв. 30.09.87: (01.04.04)
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Гойса, С. Н. |
| Опубликовано: | Киев , 1986 |
| Физические характеристики: |
217 с. : ил.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nbm0a22000001id4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr41143460000 | ||
| 005 | 20080219140144.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20080219d1986 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a UA |
| 200 | 1 | # | $a Исследование процессов на поверхности полупроводников типа A³B⁵ при активировании их цезием и кислородом $b [Микроформа] $e Дис. ... канд. физ.-мат. наук $e Утв. 30.09.87 $e (01.04.04) |
| 210 | # | # | $a Киев $d 1986 |
| 215 | # | # | $a 217 с. $c ил. |
| 300 | # | # | $a Библиогр.: с. 200-217 |
| 686 | # | # | $a 01.04.04 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Гойса $b С. Н. $g Сергей Николаевич |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20080219 $g psbo |