Исследование ультразвуковых релаксационных явлений в сегнетоэлектриках-полупроводниках типа Sn₂P₂S₆ [[Микроформа]]: Дис. ... канд. физ.-мат. наук: (01.04.10)
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Валявичюс, В. Д. |
| Опубликовано: | Вильнюс , 1991 |
| Физические характеристики: |
143 с. : ил.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nbm0a22000001id4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr41079700000 | ||
| 005 | 20080219124403.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20080219d1991 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a LT |
| 200 | 1 | # | $a Исследование ультразвуковых релаксационных явлений в сегнетоэлектриках-полупроводниках типа Sn₂P₂S₆ $b [Микроформа] $e Дис. ... канд. физ.-мат. наук $e (01.04.10) |
| 210 | # | # | $a Вильнюс $d 1991 |
| 215 | # | # | $a 143 с. $c ил. |
| 300 | # | # | $a Библиогр.: с. 130-143 |
| 686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Валявичюс $b В. Д. $g Виргиниюс Донатович |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20080219 $g psbo |