Разработка технологии и исследование характеристик квантоворазмеоных лазеров в системе In-Ga-As-P/ GaAs излучающих в диапазоне от 0,91 до 0,74 МКМ [[Микроформа]]: Дис. ... канд. физ.-мат. наук: (01.04.10)
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Бежакишвили, Г. Р. |
| Опубликовано: | Л. , 1990 |
| Физические характеристики: |
95 с.
|
| Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||