Неомическая прыжковая проводимость в полупроводниках [[Микроформа]]: Дис. ... д-ра физ.-мат. наук: Утв. 02.03.90: (01.04.07)
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Аладашвили, Д. И. |
| Опубликовано: | Тбилиси , 1989 |
| Физические характеристики: |
246 с. : ил.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nbm0a22000001id4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr40953390000 | ||
| 005 | 20080219114950.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20080219d1989 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a GE |
| 200 | 1 | # | $a Неомическая прыжковая проводимость в полупроводниках $b [Микроформа] $e Дис. ... д-ра физ.-мат. наук $e Утв. 02.03.90 $e (01.04.07) |
| 210 | # | # | $a Тбилиси $d 1989 |
| 215 | # | # | $a 246 с. $c ил. |
| 300 | # | # | $a Библиогр.: с. 233-243 |
| 686 | # | # | $a 01.04.07 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Аладашвили $b Д. И. $g Давид Иосифович |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20080219 $g psbo |