Электропроводность структуры Me-SiO₂-GaSe / Я. М. Гаджиев, Б. А. Гусейнов, Э. Б. Сафаров, Р. Н. Мехтизаде
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Опубликовано: | Баку , 1985 |
Физические характеристики: |
17 с.
|
Язык: | Русский |
Серия: |
Препр.
№ 155 |
Предмет: |
00000cam0a22000001ib4500 | |||
001 | BY-NLB-rr40820990000 | ||
005 | 20160418132533.0 | ||
010 | # | # | $d Беспл. |
021 | # | # | $a RU $b [86-4627] |
100 | # | # | $a 20080117d1985 y0rusy50 ||||ca |
101 | 0 | # | $a rus |
102 | # | # | $a AZ |
200 | 1 | # | $a Электропроводность структуры Me-SiO₂-GaSe $f Я. М. Гаджиев, Б. А. Гусейнов, Э. Б. Сафаров, Р. Н. Мехтизаде |
210 | # | # | $a Баку $d 1985 |
215 | # | # | $a 17 с. |
225 | 2 | # | $a Препр. $f АН АзССР Ин-т физики ОКБ "Регистр" с ОП $v № 155 |
300 | # | # | $a Библиогр.: с. 17 (16 назв.) |
345 | # | # | $9 100 экз. |
610 | 0 | # | $a Полупроводники - Электропроводность |
675 | # | # | $a 537.311.322 |
801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20080117 $g psbo |