Электрические и фотоэлектрические свойства монокристаллов Ga₂Se₃ / Б. Г. Тагиев, Г. М. Нифтиев, Г. К. Асланов и др.
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Опубликовано: | Баку , 1983 |
| Физические характеристики: |
30 с. : черт.
|
| Язык: | Русский |
| Серия: |
Препринт
№ 66 |
| Предмет: |
| 00000nam0a22000001ib4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr40789250000 | ||
| 005 | 20080111173740.0 | ||
| 010 | # | # | $d Б. ц. |
| 021 | # | # | $a RU $b [83-51005] |
| 100 | # | # | $a 20080111d1983 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a AZ |
| 200 | 1 | # | $a Электрические и фотоэлектрические свойства монокристаллов Ga₂Se₃ $f Б. Г. Тагиев, Г. М. Нифтиев, Г. К. Асланов и др. |
| 210 | # | # | $a Баку $d 1983 |
| 215 | # | # | $a 30 с. $c черт. |
| 225 | 2 | # | $a Препринт $f АН АзССР. Ин-т физики $v № 66 |
| 300 | # | # | $a Библиогр.: с. 28-30 (43 назв.) |
| 345 | # | # | $9 100 экз. |
| 610 | 0 | # | $a Полупроводники алмазоподобные |
| 675 | # | # | $a 548.55:537 |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20080111 $g psbo |