|
|
|
|
|
00000cam0a22000001ib4500 |
| 001 |
BY-NLB-rr40102750000 |
| 005 |
20170623102026.0 |
| 010 |
# |
# |
$d Б. ц.
|
| 021 |
# |
# |
$a RU
$b [86-22918]
|
| 100 |
# |
# |
$a 20080116d1986 y0rusy50 ||||ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a RU
|
| 200 |
1 |
# |
$a V международная конференция «Свойства и структура дислокаций в полупроводниках»
$d V International symposium «Structure and properties of dislocations in semiconductors», Москва, СССР, 17-22 марта
$e Программа и тез.
|
| 210 |
# |
# |
$a [М.]
$c ИФТТ
$d 1986
|
| 215 |
# |
# |
$a 173, [2] с.
$d 22 см
|
| 300 |
# |
# |
$a В надзаг.: АН СССР, Ин-т физики твердого тела. - Часть текста: англ. - Имен. указ.: с 171-173
|
| 345 |
# |
# |
$9 500 экз.
|
| 510 |
1 |
# |
$a V International symposium «Structure and properties of dislocations in semiconductors», Москва, СССР, 17-22 марта
|
| 610 |
0 |
# |
$a Полупроводники - Дислокации - Тезисы докладов
|
| 675 |
# |
# |
$a 537.311.322:548.4(043.2)
|
| 710 |
0 |
2 |
$a «Свойства и структура дислокации в полупроводниках», международная конф. (5; 1986; Москва)
|
| 801 |
# |
1 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20080116
$g psbo
|
