Материалы Всесоюзного совещания по дефектам структуры в полупроводниках. 29 сент.-4 окт. 1969 г. / Ин-т физики полупроводников Сиб. отд-ния АН СССР. [Ч. 2]
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Опубликовано: | 1970 |
Физические характеристики: |
211 с. : илл.
|
Язык: | Русский |
Предмет: |
00000nam2a22000001ib4500 | |||
001 | BY-NLB-rr39485060002 | ||
005 | 20080111161116.0 | ||
010 | # | # | $d 94 к. |
021 | # | # | $a RU $b [70-52397] |
100 | # | # | $a 20080111d1970 y0rusy50 ca |
101 | 0 | # | $a rus |
200 | 0 | # | $a [Ч. 2] |
210 | # | # | $d 1970 |
215 | # | # | $a 211 с. $c илл. |
300 | # | # | $a Библиогр. в конце докладов |
345 | # | # | $9 500 экз. |
461 | # | 0 | $1 001BY-NLB-rr39485060000 $1 2000 $v [Ч. 2] |
610 | 0 | # | $a Полупроводники - Дефекты - Сборники |
675 | # | # | $a 537.311.33:548.4(063)+[016.3] |
801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20080111 $g psbo |
830 | # | # | $a АУ390412;АЯ147338; |