|
|
|
|
|
00000nam0a22000001ib4500 |
| 001 |
BY-NLB-rr39447210000 |
| 005 |
20080112122052.0 |
| 010 |
# |
# |
$d Б. ц.
|
| 021 |
# |
# |
$a RU
$b [82-77883]
|
| 100 |
# |
# |
$a 20080112d1982 y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a RU
|
| 200 |
1 |
# |
$a Пятая Всесоюзная конференция по физико-химическим основам легирования полупроводниковых материалов, Москва, 6-8 дек. 1982 г.
$e Тез. докл.
|
| 210 |
# |
# |
$a М.
$c [Б. и.]
$d 1982
|
| 215 |
# |
# |
$a 244 с.
$d 21 см
|
| 300 |
# |
# |
$a В надзаг.: АН СССР, Науч. совет по пробл. «Физ.-хим. основы полупроводникового материаловедения», Ин-т металлургии им. А. А. Байкова. Авт. указ.: с. 236-244
|
| 345 |
# |
# |
$9 300 экз.
|
| 610 |
0 |
# |
$a Полупроводники - Легирование - Физико-химические основы - Тезисы докладов
|
| 675 |
# |
# |
$a 621.315.592.002(063)
|
| 710 |
0 |
2 |
$a Всесоюзная конф. по физ.-хим. основам легирования полупроводниковых материалов, 5-я. Москва. 1982
|
| 801 |
# |
1 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20080112
$g psbo
|
