|
|
|
|
|
00000nam0a22000001ib4500 |
001 |
BY-NLB-rr39447200000 |
005 |
20080112122052.0 |
010 |
# |
# |
$d Б. ц.
|
021 |
# |
# |
$a RU
$b [79-71555]
|
100 |
# |
# |
$a 20080112d1979 y0rusy50 ca
|
101 |
0 |
# |
$a rus
|
102 |
# |
# |
$a RU
|
200 |
1 |
# |
$a Четвертая Всесоюзная конференция по физико-химическим основам легирования полупроводниковых материалов, Москва, 16-18 окт. 1979 г.
$e Тезисы докл.
|
210 |
# |
# |
$a М.
$c [Б. и.]
$d 1979
|
215 |
# |
# |
$a 216 с.
$d 20 см
|
300 |
# |
# |
$a В надзаг.: АН СССР, Науч. совет по пробл. «Физ.-хим. основы полупроводникового материаловедения», Ин-т металлургии им. А. А. Байкова
|
345 |
# |
# |
$9 250 экз.
|
610 |
0 |
# |
$a Полупроводники - Легирование - Физико-химические основы - Тезисы докладов
|
675 |
# |
# |
$a 621.315.592(063)
|
710 |
0 |
2 |
$a Всесоюзная конф. по физ.-хим. основам легирования полупроводниковых материалов, 4-я. Москва. 1979
|
801 |
# |
1 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20080112
$g psbo
|