|
|
|
|
|
00000nam0a22000001ib4500 |
| 001 |
BY-NLB-rr39447190000 |
| 005 |
20080112122052.0 |
| 010 |
# |
# |
$d Б. ц.
|
| 021 |
# |
# |
$a RU
$b [75-83815]
|
| 100 |
# |
# |
$a 20080112d1975 y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a RU
|
| 200 |
1 |
# |
$a Третья Всесоюзная конференция по физико-химическим основам легирования полупроводниковых материалов, Москва, 20-22 окт. 1975 г.
$e Тезисы докл.
|
| 210 |
# |
# |
$a М.
$c [Б. и.]
$d 1975
|
| 215 |
# |
# |
$a 211 с.
$d 20 см
|
| 300 |
# |
# |
$a В надзаг.: АН СССР, Науч. совет по химии и технологии полупроводников и высокочистых веществ, Секция химии и технологии полупроводников, Ин-т металлургии им. А. А. Байкова
|
| 345 |
# |
# |
$9 400 экз.
|
| 610 |
0 |
# |
$a Полупроводники - Легирование - Тезисы докладов
|
| 675 |
# |
# |
$a 621.315.592.002(063)
|
| 710 |
0 |
2 |
$a Всесоюзная конференция по физико-химическим основам легирования полупроводниковых материалов, 3-я. Москва. 1975
|
| 801 |
# |
1 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20080112
$g psbo
|
