Изучение строения двойного электрического слоя на границе ртуть/диметилформамид: (074): Автореф. дисс. на соискание учен. степени канд. хим. наук / [Моск. гос. ун-т]. Хим. фак.
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Ганжина, И. М. |
| Опубликовано: | [М.] , 1971 |
| Физические характеристики: |
19 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr39318480000 | ||
| 005 | 20071023151834.0 | ||
| 021 | # | # | $a RU $b [71-1358а] |
| 100 | # | # | $a 20071023d1971 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Изучение строения двойного электрического слоя на границе ртуть/диметилформамид $e (074) $e Автореф. дисс. на соискание учен. степени канд. хим. наук $f [Моск. гос. ун-т]. Хим. фак. |
| 210 | # | # | $a [М.] $d 1971 |
| 215 | # | # | $a 19 с. |
| 686 | # | # | $a 074 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Ганжина $b И. М. |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20071023 $g psbo |