Междузонные процессы рекомбинации в полупроводниках при высоких уровнях возбуждения: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степени д-ра физ.-мат. наук / АМ СССР. Физ ин-т им. П. Н. Лебедева
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Автор: | Галкин, Г. Н. |
Опубликовано: | М. , 1977 |
Физические характеристики: |
37 с.
|
Язык: | Русский |
00000nam0a22000001ia4500 | |||
001 | BY-NLB-rr39282080000 | ||
005 | 20071023160720.0 | ||
021 | # | # | $a RU $b [77-15436а] |
100 | # | # | $a 20071023d1977 y0rusy50 ca |
101 | 0 | # | $a rus |
102 | # | # | $a RU |
200 | 1 | # | $a Междузонные процессы рекомбинации в полупроводниках при высоких уровнях возбуждения $e (01.04.10) $e Автореф. дис. на соиск. учен. степени д-ра физ.-мат. наук $f АМ СССР. Физ ин-т им. П. Н. Лебедева |
210 | # | # | $a М. $d 1977 |
215 | # | # | $a 37 с. |
300 | # | # | $a Список работ авт.: с. 36-37 (21 назв.) |
686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
700 | # | 1 | $a Галкин $b Г. Н. $g Гений Николаевич |
801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20071023 $g psbo |