Междузонные процессы рекомбинации в полупроводниках при высоких уровнях возбуждения: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степени д-ра физ.-мат. наук / АМ СССР. Физ ин-т им. П. Н. Лебедева

Сохранено в:
Шифр документа: АЯ323484,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Галкин, Г. Н.
Опубликовано: М. , 1977
Физические характеристики: 37 с.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr39282080000
005 20071023160720.0
021 # # $a RU  $b [77-15436а] 
100 # # $a 20071023d1977 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Междузонные процессы рекомбинации в полупроводниках при высоких уровнях возбуждения  $e (01.04.10)  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степени д-ра физ.-мат. наук  $f АМ СССР. Физ ин-т им. П. Н. Лебедева 
210 # # $a М.  $d 1977 
215 # # $a 37 с. 
300 # # $a Список работ авт.: с. 36-37 (21 назв.) 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Галкин  $b Г. Н.  $g Гений Николаевич 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20071023  $g psbo