Технология легирования полупроводниковых компонентов ИС СВЧ: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук: (05.27.01) / Моск. ин-т электрон. машиностроения
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Галина, Т. М. |
| Опубликовано: | М. , 1989 |
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr39273960000 | ||
| 005 | 20071023160503.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20071023d1989 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Технология легирования полупроводниковых компонентов ИС СВЧ $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук $e (05.27.01) $f Моск. ин-т электрон. машиностроения |
| 210 | # | # | $a М. $d 1989 |
| 300 | # | # | $a Библиогр.: с. 20-23 (19 назв.). Для служеб. пользования |
| 686 | # | # | $a 05.27.01 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Галина $b Т. М. $g Татьяна Марковна |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20071023 $g psbo |