Исследование свойств запоминающихся ячеек на двух туннельных диодах
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Галецкий, Ф. П. |
| Опубликовано: | М. , 1965 |
| Физические характеристики: |
85 с. : рис.
|
| Язык: | Русский |
| Серия: |
Электронные вычислит. машины
|
| 00000nam0a22000001ib4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr39267650000 | ||
| 005 | 20071023160503.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20071023d1965 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Исследование свойств запоминающихся ячеек на двух туннельных диодах |
| 210 | # | # | $a М. $d 1965 |
| 215 | # | # | $a 85 с. $c рис. |
| 225 | 2 | # | $a Электронные вычислит. машины $f Ин-т точной мех. и вычисл. техн. АН СССР |
| 300 | # | # | $a Библиогр.: с. 84 |
| 675 | # | # | $a 681.142.65 |
| 700 | # | 1 | $a Галецкий $b Ф. П. |
| 701 | # | 1 | $a Павловский $b Я. Н. |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20071023 $g psbo |