Структура и электрофизические свойства атомарно-чистых поверхностей полупроводниковых кристаллов и реальных границ раздела фаз полупроводниковых структур: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук: (01.04.10) / Моск. ин-т стали и сплавов

Сохранено в:
Шифр документа: 89397/89СК,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Галаев, А. А.
Опубликовано: М. , 1989
Физические характеристики: 48 с.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr39252700000
005 20071023160241.0
100 # # $a 20071023d1989 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Структура и электрофизические свойства атомарно-чистых поверхностей полупроводниковых кристаллов и реальных границ раздела фаз полупроводниковых структур  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук  $e (01.04.10)  $f Моск. ин-т стали и сплавов 
210 # # $a М.  $d 1989 
215 # # $a 48 с. 
300 # # $a Библиогр.: с. 42-48 (57 назв.). Для служеб. пользования 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Галаев  $b А. А.  $g Аули Александрович 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20071023  $g psbo