Структура и электрофизические свойства атомарно-чистых поверхностей полупроводниковых кристаллов и реальных границ раздела фаз полупроводниковых структур: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук: (01.04.10) / Моск. ин-т стали и сплавов
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Автор: | Галаев, А. А. |
Опубликовано: | М. , 1989 |
Физические характеристики: |
48 с.
|
Язык: | Русский |
00000nam0a22000001ia4500 | |||
001 | BY-NLB-rr39252700000 | ||
005 | 20071023160241.0 | ||
100 | # | # | $a 20071023d1989 y0rusy50 ca |
101 | 0 | # | $a rus |
102 | # | # | $a RU |
200 | 1 | # | $a Структура и электрофизические свойства атомарно-чистых поверхностей полупроводниковых кристаллов и реальных границ раздела фаз полупроводниковых структур $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук $e (01.04.10) $f Моск. ин-т стали и сплавов |
210 | # | # | $a М. $d 1989 |
215 | # | # | $a 48 с. |
300 | # | # | $a Библиогр.: с. 42-48 (57 назв.). Для служеб. пользования |
686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
700 | # | 1 | $a Галаев $b А. А. $g Аули Александрович |
801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20071023 $g psbo |