Получение и исследование транзисторных и тиристорных структур с гетеропереходами в системе GaAs-AlAs на основе слаболегированного арсенида галлия: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук

Сохранено в:
Шифр документа: АЯ476958,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Гайбуллаев, С.
Опубликовано: Л. , 1983
Физические характеристики: 17 с.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr39229920000
005 20071023155847.0
021 # # $a RU  $b [84-1318а] 
100 # # $a 20071023d1983 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Получение и исследование транзисторных и тиристорных структур с гетеропереходами в системе GaAs-AlAs на основе слаболегированного арсенида галлия  $e (01.04.10)  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук 
210 # # $a Л.  $d 1983 
215 # # $a 17 с. 
300 # # $a В надзаг.: АН СССР, Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе. Библиогр.: с. 16-17 (7 назв.) 
675 # # $a 621.382.33 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Гайбуллаев  $b С.  $g Сайдулла 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20071023  $g psbo