Электрофизические свойства приборных структур, созданных внедрением ионов в GaAs: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук / АН СССР. СПб. отд-ние. Ин-т физики полупроводников
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Гаврилов, А. А. |
| Опубликовано: | Новосибирск , 1977 |
| Физические характеристики: |
15 с.
|
| Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||