Электрофизические свойства приборных структур, созданных внедрением ионов в GaAs: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук / АН СССР. СПб. отд-ние. Ин-т физики полупроводников
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Гаврилов, А. А. |
| Опубликовано: | Новосибирск , 1977 |
| Физические характеристики: |
15 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr39182020000 | ||
| 005 | 20071023155031.0 | ||
| 021 | # | # | $a RU $b [77-8778а] |
| 100 | # | # | $a 20071023d1977 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Электрофизические свойства приборных структур, созданных внедрением ионов в GaAs $e (01.04.10) $e Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук $f АН СССР. СПб. отд-ние. Ин-т физики полупроводников |
| 210 | # | # | $a Новосибирск $d 1977 |
| 215 | # | # | $a 15 с. |
| 300 | # | # | $a Список лит.: с. 12-15 |
| 686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Гаврилов $b А. А. $g Алексей Александрович |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20071023 $g psbo |