Создание полупроводниковых ИК лазеров на основе Рв{н.инд.}(1-x)Sn{н.инд.}(x)Se методом молекулярной эпитаксии («горячей стенки») и исследование их характеристик: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Вяткин, К. В. |
| Опубликовано: | М. , 1982 |
| Физические характеристики: |
18 с.
|
| Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||