Создание полупроводниковых ИК лазеров на основе Рв{н.инд.}(1-x)Sn{н.инд.}(x)Se методом молекулярной эпитаксии («горячей стенки») и исследование их характеристик: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Вяткин, К. В. |
| Опубликовано: | М. , 1982 |
| Физические характеристики: |
18 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr39153890000 | ||
| 005 | 20071023153504.0 | ||
| 021 | # | # | $a RU $b [82-9446а] |
| 100 | # | # | $a 20071023d1982 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Создание полупроводниковых ИК лазеров на основе Рв{н.инд.}(1-x)Sn{н.инд.}(x)Se методом молекулярной эпитаксии («горячей стенки») и исследование их характеристик $e (01.04.10) $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук |
| 210 | # | # | $a М. $d 1982 |
| 215 | # | # | $a 18 с. |
| 300 | # | # | $a В надзаг.: АН СССР, Физ. ин-т им. П. Н. Лебедева. Библиогр.: с. 17-18 (7 назв.) |
| 686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Вяткин $b К. В. $g Константин Васильевич |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20071023 $g psbo |