Фазовый переход в сегнетополупроводнике Sn₂P₂S₆ и динамика его решетки: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Автор: | Высочанский, Ю. М. |
Опубликовано: | Киев , 1979 |
Физические характеристики: |
21 с.
|
Язык: | Русский |
00000nam0a22000001ia4500 | |||
001 | BY-NLB-rr39138850000 | ||
005 | 20071023153155.0 | ||
021 | # | # | $a RU $b [79-19991а] |
100 | # | # | $a 20071023d1979 y0rusy50 ca |
101 | 0 | # | $a rus |
102 | # | # | $a UA |
200 | 1 | # | $a Фазовый переход в сегнетополупроводнике Sn₂P₂S₆ и динамика его решетки $e (01.04.10) $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук |
210 | # | # | $a Киев $d 1979 |
215 | # | # | $a 21 с. |
300 | # | # | $a В надзаг.: Киев. гос. ун-т им. Т. Г. Шевченко. Библиогр.: с. 20-21 (12 назв.) |
686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
700 | # | 1 | $a Высочанский $b Ю. М. $g Юлиан Миронович |
801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20071023 $g psbo |