Электрофизический анализ структур арсенида галлия для полупроводниковых СВЧ-элементов: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10) / Горьк. гос. ун-т им. Н. И. Лобачевского

Сохранено в:
Шифр документа: 16803/86СК,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Высоцкий, С. А.
Опубликовано: Горький , 1966
Физические характеристики: 23 с.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr39138320000
005 20071023153155.0
100 # # $a 20071023d1966 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Электрофизический анализ структур арсенида галлия для полупроводниковых СВЧ-элементов  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук  $e (01.04.10)  $f Горьк. гос. ун-т им. Н. И. Лобачевского 
210 # # $a Горький  $d 1966 
215 # # $a 23 с. 
300 # # $a Библиогр.: с. 21-22 (15 назв.). Для служеб. пользования 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Высоцкий  $b С. А.  $g Сергей Александрович 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20071023  $g psbo