Исследование особенностей инжекционных процессов Bp-i-nструктурах на основе арсенида галлия и фосфида галлия с глубокими уровнями: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ-мат. наук: (01.04.10) / АН СССР, Сиб. отд-ние. Ин-т физи ки полупроводников
Сохранено в:
| 格式: | |
|---|---|
| 主要作者: | Воронин, С. Т. |
| 出版: | Новосибирск , 1989 |
| 實物描述: |
21 с.
|
| 語言: | 俄文 |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | 可用 預訂 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||