Генерационно-рекомбинационные эффекты горячих носителей заряда в компенсированных полупроводниках: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Воробьев, Ю. В. |
| Опубликовано: | Киев , 1983 |
| Физические характеристики: |
25 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr39021150000 | ||
| 005 | 20071023161944.0 | ||
| 021 | # | # | $a RU $b [84-3381а] |
| 100 | # | # | $a 20071023d1983 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a UA |
| 200 | 1 | # | $a Генерационно-рекомбинационные эффекты горячих носителей заряда в компенсированных полупроводниках $e (01.04.10) $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук |
| 210 | # | # | $a Киев $d 1983 |
| 215 | # | # | $a 25 с. |
| 300 | # | # | $a В надзаг.: АН УССР, Ин-т полупроводников. Библиогр.: с. 19-25 (56 назв.) |
| 686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Воробьев $b Ю. В. $g Юрий Васильевич |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20071023 $g psbo |