|
|
|
|
|
00000cam0a22000001ib4500 |
| 001 |
BY-NLB-rr38885810000 |
| 005 |
20201215123117.0 |
| 010 |
# |
# |
$a 5-256-00498-0
$d 3 р. 50 к.
|
| 021 |
# |
# |
$a RU
$b [90-46788]
|
| 100 |
# |
# |
$a 20071022d1990 y0rusy50 ||||ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a RU
|
| 200 |
1 |
# |
$a Фотоэлектрические МДП-структуры из узкозонных полупроводников
|
| 210 |
# |
# |
$a Томск
$c Радио и связь. Том. отд-ние
$d 1990
|
| 215 |
# |
# |
$a 327 с.
$c ил.
$d 22 см
|
| 300 |
# |
# |
$a Библиогр.: с. 307-325 (492 назв.)
|
| 345 |
# |
# |
$9 2800 экз.
|
| 610 |
0 |
# |
$a МДП-структуры - Фотоэлектрические свойства
|
| 610 |
0 |
# |
$a Полупроводники - Зонная теория
|
| 675 |
# |
# |
$a 621.383.01
|
| 700 |
# |
1 |
$a Войцеховский
$b А. В.
$g Александр Васильевич
|
| 701 |
# |
1 |
$a Давыдов
$b В. Н.
$g Валерий Николаевич
|
| 801 |
# |
1 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20071022
$g psbo
|
