Теория излучательных и безызлучательных переходов, обусловленных взаимодействием носителей, в полупроводниках в магнитном поле: (041): Автореф. дисс. на соискание учен. степени канд. физ.-мат. наук / АН УССР. Ин-т физики

Сохранено в:
Шифр документа: АЯ149803,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Власов, Г. К.
Опубликовано: Киев , 1970
Физические характеристики: 18 с.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr38830020000
005 20071022192248.0
021 # # $a RU  $b [70-21990а] 
100 # # $a 20071022d1970 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a UA 
200 1 # $a Теория излучательных и безызлучательных переходов, обусловленных взаимодействием носителей, в полупроводниках в магнитном поле  $e (041)  $e Автореф. дисс. на соискание учен. степени канд. физ.-мат. наук  $f АН УССР. Ин-т физики 
210 # # $a Киев  $d 1970 
215 # # $a 18 с. 
300 # # $a Библиогр.: с. 17-18 (21 назв.) 
686 # # $a 041  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Власов  $b Г. К. 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20071022  $g psbo