Получение и исследование эпитаксиальных структур GaSb-Al{н.инд.}(x)Ga{н.инд.}(1-x)Sb и GaSb-Al{н.инд.}(x)Ga{н.инд.}(1-x) As{н.инд.}(y)Sb{н.инд.}(1-y): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук: (05.17.16)

Сохранено в:
Шифр документа: АЯ365050СК,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Вигдорович, С. В.
Опубликовано: М. , 1979
Физические характеристики: 26 с.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr38676680000
005 20071022185730.0
100 # # $a 20071022d1979 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Получение и исследование эпитаксиальных структур GaSb-Al{н.инд.}(x)Ga{н.инд.}(1-x)Sb и GaSb-Al{н.инд.}(x)Ga{н.инд.}(1-x) As{н.инд.}(y)Sb{н.инд.}(1-y)  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук  $e (05.17.16) 
210 # # $a М.  $d 1979 
215 # # $a 26 с. 
300 # # $a В надзаг.: Моск. ин-т электрон. техники. Библиогр.: с. 25-26 (7 назв.). Для служеб. пользования 
686 # # $a 05.17.16  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Вигдорович  $b С. В.  $g Светлана Вилениновна 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20071022  $g psbo