Концентрационная гетерофазность в сильно легированных полупроводниках: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Венгалис, Б. Ю. |
| Опубликовано: | Вильнюс , 1979 |
| Физические характеристики: |
16 с. : граф.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr38583160000 | ||
| 005 | 20071022184048.0 | ||
| 021 | # | # | $a RU $b [79-11086а] |
| 100 | # | # | $a 20071022d1979 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a LT |
| 200 | 1 | # | $a Концентрационная гетерофазность в сильно легированных полупроводниках $e (01.04.10) $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук |
| 210 | # | # | $a Вильнюс $d 1979 |
| 215 | # | # | $a 16 с. $c граф. |
| 300 | # | # | $a В надзаг.: Вильнюс. гос. ун-т им. В. Капсукаса. Список работ авт.: с. 15-16 (12 назв.) |
| 686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Венгалис $b Б. Ю. $g Бонифацас Юозо |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20071022 $g psbo |