Исследование влияния импульсного лазерного воздействия на излучательные свойства полупроводников группы A³B5: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук / АН СССР, Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Автор: | Васильев, А. Н. |
Опубликовано: | Л. , 1987 |
Физические характеристики: |
20 с. : граф.
|
Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|