Исследование влияния импульсного лазерного воздействия на излучательные свойства полупроводников группы A³B5: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук / АН СССР, Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Автор: | Васильев, А. Н. |
Опубликовано: | Л. , 1987 |
Физические характеристики: |
20 с. : граф.
|
Язык: | Русский |
00000cam0a22000001ia4500 | |||
001 | BY-NLB-rr38431030000 | ||
005 | 20230330104454.0 | ||
021 | # | # | $a RU $b [88-1563а] |
100 | # | # | $a 20071022d1987 y0rusy50 ||||ca |
101 | 0 | # | $a rus |
102 | # | # | $a RU |
200 | 1 | # | $a Исследование влияния импульсного лазерного воздействия на излучательные свойства полупроводников группы A³B5 $e (01.04.10) $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук $f АН СССР, Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе |
210 | # | # | $a Л. $d 1987 |
215 | # | # | $a 20 с. $c граф. |
300 | # | # | $a Библиогр.: с. 18-19 (7 назв.) |
686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
700 | # | 1 | $a Васильев $b А. Н. $g Алексей Николаевич |
801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20071022 $g psbo |