Исследование влияния импульсного лазерного воздействия на излучательные свойства полупроводников группы A³B5: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук / АН СССР, Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе

Сохранено в:
Шифр документа: 67998/87,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Васильев, А. Н.
Опубликовано: Л. , 1987
Физические характеристики: 20 с. : граф.
Язык: Русский
00000cam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr38431030000
005 20230330104454.0
021 # # $a RU  $b [88-1563а] 
100 # # $a 20071022d1987 y0rusy50 ||||ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Исследование влияния импульсного лазерного воздействия на излучательные свойства полупроводников группы A³B5  $e (01.04.10)  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук  $f АН СССР, Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе 
210 # # $a Л.  $d 1987 
215 # # $a 20 с.  $c граф. 
300 # # $a Библиогр.: с. 18-19 (7 назв.) 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Васильев  $b А. Н.  $g Алексей Николаевич 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20071022  $g psbo