|
|
|
|
|
00000nam0a22000001ib4500 |
| 001 |
BY-NLB-rr38319930000 |
| 005 |
20071004162141.0 |
| 010 |
# |
# |
$d Б. ц.
|
| 021 |
# |
# |
$a RU
$b [82-31552]
|
| 100 |
# |
# |
$a 20071004d1982 y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a RU
|
| 200 |
1 |
# |
$a Зарядковая нестабильность МДП-структур на основе InSb с диэлектриками SiO₂ и Al₂O₃
|
| 210 |
# |
# |
$a Новосибирск
$d 1982
|
| 215 |
# |
# |
$a 28 с.
$c черт.
|
| 225 |
2 |
# |
$a Препринт
$f АН СССР. Сиб. отд-ние. Ин-т физики полупроводников
$v 1-82
|
| 300 |
# |
# |
$a Библиогр.: с. 25-26 (36 назв.)
|
| 345 |
# |
# |
$9 100 экз.
|
| 675 |
# |
# |
$a 537.311.32
|
| 700 |
# |
1 |
$a Вайнер
$b Б. Г.
$g Борис Григорьевич
|
| 701 |
# |
1 |
$a Курышев
$b Г. Л.
$g Георгий Леонидович
|
| 801 |
# |
1 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20071004
$g psbo
|
