Получение и комплексное исследование физических свойств тройного полупроводникового соединения CdSiP₂: (049): Автореф. дис. на соискание учен. степени канд. физ.-мат. наук / Киев. гос. пед. ин-т им. А. М. Горького
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Бычков, А. Г. |
| Опубликовано: | Киев , 1971 |
| Физические характеристики: |
17 с.
|
| Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||