Получение и комплексное исследование физических свойств тройного полупроводникового соединения CdSiP₂: (049): Автореф. дис. на соискание учен. степени канд. физ.-мат. наук / Киев. гос. пед. ин-т им. А. М. Горького
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Бычков, А. Г. |
| Опубликовано: | Киев , 1971 |
| Физические характеристики: |
17 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr38274860000 | ||
| 005 | 20071004155952.0 | ||
| 021 | # | # | $a RU $b [72-942а] |
| 100 | # | # | $a 20071004d1971 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a UA |
| 200 | 1 | # | $a Получение и комплексное исследование физических свойств тройного полупроводникового соединения CdSiP₂ $e (049) $e Автореф. дис. на соискание учен. степени канд. физ.-мат. наук $f Киев. гос. пед. ин-т им. А. М. Горького |
| 210 | # | # | $a Киев $d 1971 |
| 215 | # | # | $a 17 с. |
| 300 | # | # | $a Список работ авт.: с. 16-17 (8 назв.) |
| 686 | # | # | $a 049 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Бычков $b А. Г. |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20071004 $g psbo |